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| 专利名称： | 半导体激光器用金属-陶瓷绝缘子封装结构 |
| 公开（告）号： | CN201623361U |
| 公开（公告）日： | 2010-11-03 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN201020126786.9 |
| 申请日： | 2010-03-05 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 河北中瓷电子科技有限公司 |
| (申请)专利权（人）： | 李军;刘志平;高珊;张磊;邹勇明 |
| 内容： | 本实用新型公开了一种半导体激光器用金属-陶瓷绝缘子封装结构，包括金属底板、焊接在金属底板四周上的金属墙体、焊接于金属墙体开口内的光耦合接口以及焊接于光耦合接口两侧金属墙体开口内的陶瓷绝缘子，陶瓷绝缘子上有针形开孔，金属引线焊接在上述针形开孔内并和内外电路相连接，其中：陶瓷绝缘子为T字形结构，细端焊接在金属墙体的开口内，宽端与金属墙体外侧相接触并焊接在金属墙体上。通过将陶瓷绝缘子设置成T字形结构，增加陶瓷绝缘子和金属墙体间的焊接面积，从而解决随着半导体激光器的使用时间加长，器件气密性变差，可靠性低的问题。
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发布日期：2010-11-25 11:19:00