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| 专利名称： | 新型全压接式的大功率IGBT多模架陶瓷管壳 |
| 公开（告）号： | CN101266952B |
| 公开（公告）日： | 2010-11-17 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200810018692.7 |
| 申请日： | 2008-03-12 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 江阴市赛英电子有限公司 |
| (申请)专利权（人）： | 徐宏伟;张峰;耿建标 |
| 内容： | 本发明涉及一种新型全压接式的大功率IGBT多模架陶瓷管壳，适合用做全压接式的大功率IGBT器件的封装外壳。包括大阳法兰(1)、瓷环(2)、小阳法兰(3)、模架群(5)、阴极插片(4)和门极引线管，大阳法兰(1)、瓷环(2)和小阳法兰(3)上下叠合同心封接，模架群(5)封接于小阳法兰(3)的中心孔内，所述模架群(5)包含有若干个二极管芯片模架(5-1)和多个IGBT芯片模架(5-2)，所述阴极插片(4)插置于小阳法兰(3)的外壁面上，所述门极引线管穿接于瓷环(2)的壳壁上，门极引线管由门极导电芯(9)、门极外套(6)、门极密封罩(8)、门极外插片(7)和门极内插片(10)组成。本发明新型全压接式的大功率IGBT多模架陶瓷管壳，既可以提高散热效果，又可以将器件体积做得较小。
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发布日期：2010-11-25 10:49:00