| 专利名称： | 钙钛矿结构高居里温度无铅压电陶瓷及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101891472A |
| 公开（公告）日： | 2010-11-24 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200910051651.2 |
| 申请日： | 2009-05-21 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| (申请)专利权（人）： | 曾江涛;李国荣;郑嘹赢;张望重;张阳红;殷庆瑞 |
| 内容： | 本发明涉及钙钛矿结构高居里温度无铅压电陶瓷及其制备方法，本发明的高居里点无铅压电陶瓷，其通式由(1-x)K0.5Na0.5Nb1-ySbyO3-xK3Li2Nb5O15表示，式中0＜x≤0.10，0≤y≤0.10。本发明的材料能使用普通的碳酸盐或者氧化物原料，采用常规的陶瓷工艺制备而成。本发明制备的陶瓷具备非常高的居里温度及较好的压电性能，并且此配方不含铅，是一种环境友好的材料。 |
发布日期：2010-11-25 15:56:00