| 专利名称： | 一种钼基低温烧结微波介质陶瓷材料 |
| 公开（告）号： | CN101891476A |
| 公开（公告）日： | 2010-11-24 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN201010228785.X |
| 申请日： | 2010-07-16 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 西安工业大学 |
| (申请)专利权（人）： | 庞利霞;周迪 |
| 内容： | 本发明公开了一种钼基低温烧结微波介质陶瓷材料，以克服现有技术存在的微波介质陶瓷性能不够理想的问题。本发明提供的钼基低温烧结微波介质陶瓷材料的结构表达式为：(La1-xNdx)2Mo3O12,其中0.0≤x≤1.0。本发明的低温烧结钼基微波介质陶瓷材料具有以下优点：1、相对介电常数低（8.2～10.1），低频下介电损耗小（tanδ<5×10-4，1MHz），微波品质因数高（Qf=60,000～80,000GHz），使用频率可达10GHz以上，谐振频率温度系数为-80～-60ppm/oC；2、烧结温度低（900～1000oC）；3、制备工艺简单；4、应用范围宽。? |
发布日期：2010-11-25 16:06:00