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| 专利名称： | 一种半导体设备用氧化铝陶瓷及制备工艺 |
| 公开（告）号： | CN101898890A |
| 公开（公告）日： | 2010-12-01 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN201010145655.X |
| 申请日： | 2010-04-13 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 刘先兵 |
| (申请)专利权（人）： | 刘先兵 |
| 内容： | 本发明涉及一种半导体设备用高纯氧化铝陶瓷及制备工艺，在不增加现有生产成本的前提下，添加微量(300-3000ppm)氧化钡，使烧结的高纯氧化铝陶瓷在2MHz至4.8GHz的频段内，具有稳定均匀，不随材料批次、材料在烧结后坯料的位置而变化，且小于3.0×10-4的介电损耗系数。而此陶瓷在微观结构上具有平均晶粒尺寸6μm左右的氧化铝相，纯度维持在99.5％及以上，其物理、化学、力学、热、介电、耐磨损、耐腐蚀、可加工性等性能与现有99.5％及以上的高纯氧化铝相当或更高。此陶瓷烧结体可用来制作半导体真空制作设备的各种关键部件，如等离子体设备的气体喷嘴、气体分配盘、反应腔墙体和固定晶圆的固定环等。
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发布日期：2010-12-01 10:45:00