| 专利名称： | 压电陶瓷多层元件 |
| 公开（告）号： | CN101903308A |
| 公开（公告）日： | 2010-12-01 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200880121198.1 |
| 申请日： | 2008-10-20 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 陶瓷技术股份公司 |
| (申请)专利权（人）： | R·宾迪格;H-J·施赖纳 |
| 内容： | 按现有技术，压电陶瓷多层元件在约1100℃或更高的温度下在空气中经烧结。因此仅可用具有高熔点的贵金属作为内电极。非贵金属会发生氧化。所以通常使用含至多40％钯的银-钯合金。但这又涉及高的材料成本问题。内电极材料的低熔点也需具有相应低的烧结温度的陶瓷材料。因此本发明建议，在母材中加入非导电的烧结助剂，该内电极含银优选纯银作为主材料成分，并含非导电材料成分和/或金属合金或金属氧化物混合物。
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发布日期：2010-12-01 11:12:00