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| 专利名称： | 多层陶瓷超级电容器的制造方法和多层陶瓷超级电容器 |
| 公开（告）号： | CN101944436A |
| 公开（公告）日： | 2011-01-12 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN201010249846.0 |
| 申请日： | 2010-08-04 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 欧明;王华;田维;姜知水 |
| (申请)专利权（人）： | 欧明;王华;田维;姜知水 |
| 内容： | 本发明公开了一种多层陶瓷超级电容器的制造方法和多层陶瓷超级电容器，属于电容器领域。所述方法包括：采用反应磁控溅射工艺，在基板上溅射陶瓷介质层，加上掩模溅射金属内电极，移除掩模，再溅射陶瓷介质层，然后再加上掩模溅射金属内电极，然后移除掩模，再溅射陶瓷介质层，如此交替制作成多层陶瓷结构芯片，分别在该芯片引出金属内电极的两个相对侧面上溅射金属外电极，制成多层陶瓷超级电容器。本发明中的多层陶瓷超级电容器能量存储密度大，充放电时间短，漏电少，充放电均不会破坏或减少电容器的寿命，可靠性得到了保障。
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发布日期：2011-06-02 09:40:00