专利名称: | 一种无铅压电陶瓷薄膜的制备方法 |
公开(告)号: | CN101962293A |
公开(公告)日: | 2011-02-02 00:00:00 |
申请(专利)号: | CN201010290334.9 |
申请日: | 2010-09-21 00:00:00 |
发明(设计)人: | 南京航空航天大学 |
(申请)专利权(人): | 朱孔军;裘进浩;季宏丽 |
内容: | 本发明公开了一种无铅压电陶瓷薄膜的低温制备方法,将溶胶-凝胶法和水热法结合在一起,利用溶胶-凝胶法制备湿膜,然后通过水热处理,使其晶粒生长,得到致密性较高的薄膜。本发明总体上经过无铅压电陶瓷溶胶的制备、成膜、预热处理和水热低温晶化四个阶段。本发明针对目前环境友好型铌酸钾钠压电薄膜制备方法中的不足,尤其是溶胶-凝胶法制备薄膜需要后期的晶化热处理带来宏观缺陷的问题,结合溶胶-凝胶法和水热法制备薄膜的优点,采用水热-溶胶凝胶法制备铌酸钾钠无铅压电薄膜,减少薄膜的宏观缺陷和裂纹,以便减少薄膜电极间的漏电流值,提高薄膜的压电特性;对无铅压电陶瓷薄膜在纳米制造、MEMS、超精密加工等领域有重要意义。 |
发布日期:2011-06-09 15:19:00