| 专利名称： | 带可变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器及其制造方法 |
| 公开（告）号： | CN101341558B |
| 公开（公告）日： | 2011-01-12 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200780000848.2 |
| 申请日： | 2007-05-31 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 株式会社村田制作所 |
| (申请)专利权（人）： | 谷晋辅;川本光俊 |
| 内容： | 本发明提供一种带可变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器，对于形成半导体陶瓷层(1a～1g)的半导体陶瓷而言，Sr位点与Ti位点的配合摩尔比m满足1.000＜m≤1.020，在结晶粒子中固溶有La或Sm等施主元素，并且，在晶界层中存在相对于所述Ti元素100摩尔在0.5摩尔以下(优选为0.3～0.5摩尔)的范围的Mn、Co、Ni、Cr等受主元素，且结晶粒子的平均粒径为1.0μm以下(优选为0.5～0.8μm)。由此，可实现具有良好电气特性、比电阻与电气耐压良好、可靠性也出色且能够薄层化和小型化的带可变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器。 |
发布日期：2011-06-02 09:49:00