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专利名称: | 低温烧成陶瓷电路基板 |
公开(告)号: | CN101983543A |
公开(公告)日: | 2011-03-02 00:00:00 |
申请(专利)号: | CN200980111924.6 |
申请日: | 2009-02-19 00:00:00 |
发明(设计)人: | 三菱电机株式会社 |
(申请)专利权(人): | 山口和宏 |
内容: | 本发明是低温烧成陶瓷电路基板,其是将导体糊和生片在800~900℃同时烧成而成,其特征在于,上述生片含有玻璃粉末和氧化铝粉末,所述玻璃粉末包含35~39重量%的SiO2、9~17重量%的Al2O3、21~40重量%的B2O3、10~20重量%的R’O(其中,R’是选自Mg、Ca和Ba中的至少1种)、和0.2~2重量%的Li2O、0.5~2重量%的MO2(其中,M是选自Ti和Zr中的至少1种),且上述玻璃粉末与上述氧化铝粉末的重量比例为4∶6~6∶4,上述导体糊含有:含Ag的金属粒子、粘合剂成分、热分解性的碱金属化合物,且上述热分解性的碱金属化合物的含量是使得相对上述金属粒子的金属原子100个,含有0.13~7.8的碱金属原子的量。根据本发明,可提供低温烧成陶瓷电路基板,其可进行900℃以下的烧成,在与Ag系导体糊同时烧成时,基板弯曲、导体褶皱小,同时吸湿性低,在高频带(微波、毫米波带)的介质特性优异,且具有没有玻璃成分凸现的平坦的电路表面。
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发布日期:2011-06-14 09:34:00