| 专利名称： | 陶瓷电子元件及其制造方法 |
| 公开（告）号： | CN101180690B |
| 公开（公告）日： | 2011-06-15 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200680017636.0 |
| 申请日： | 2006-04-21 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 株式会社村田制作所 |
| (申请)专利权（人）： | 小村好浩 |
| 内容： | 本发明提供静电容量的温度特性好、IR温度依赖性低、可靠性高的陶瓷电子元件及其制造方法。本发明提供的陶瓷电子元件，其特征在于具有电介质层，其中，前述电介质层含有组成式BamTiO2+m(m 是0.995≤m≤1.010、Ba与Ti的比是0.995≤Ba/Ti≤1.010)表示的主要成分，和作为辅助成分的Al氧化物、Si氧化物或R的氧化物(其中 R是选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、 Ho、Er、Tm、Yb与Lu中的至少1种，前述Al的氧化物的至少一部分，和前述Si的氧化物或前述R的氧化物的至少一部分，形成与主要由前述主要成分构成的主相不同的2次相。 |
发布日期：2011-06-22 16:14:00