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| 专利名称： | 一种高Q值微波介质陶瓷及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101967058A |
| 公开（公告）日： | 2011-02-09 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN201010237748.5 |
| 申请日： | 2010-07-23 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 黑龙江科技学院;北京科技大学 |
| (申请)专利权（人）： | 张迎春;付宝建;杨秀敏 |
| 内容： | 一种高Q值微波介质陶瓷及其制备方法，属于微波介质陶瓷材料及其制造技术领域。陶瓷由MgNb2O6和ZnTa2O6复合而成。以MgO和Nb2O5为原料合成MgNb2O6，以ZnO和Ta2O5为原料合成ZnTa2O6，之后MgNb2O6与ZnTa2O6经过混合，加入PVA压制成型，在高温炉中烧结2～4小时制成微波介质陶瓷。本发明的微波介质陶瓷相对介电常数在29.7～31.4之间，Qf值在66280～67370之间，谐振频率温度系数可调；可广泛应用于各种介质谐振器、滤波器等微波器件的制造，满足移动通信、卫星通信等系统的技术需求。
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发布日期：2011-06-09 15:54:00