| 专利名称： | 一种可控太阳吸收率的氧化铝-氧化铁陶瓷膜的制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101705511B |
| 公开（公告）日： | 2011-04-20 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200910310625.7 |
| 申请日： | 2009-11-30 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 哈尔滨工业大学 |
| (申请)专利权（人）： | 吴晓宏;秦伟;王小东;王锐 |
| 内容： | 一种可控太阳吸收率的氧化铝氧化铁陶瓷膜的制备方法，它涉及一种氧化铝氧化铁陶瓷膜的制备方法。本发明解决了现有方法使LY12铝合金表面具有特定太阳吸收率中存在空间稳定性、耐紫外辐照性和结合力均不好，且涂层的太阳吸收率不易调节的问题。方法：一、对LY12铝合金进行表面预处理，再超声处理，经蒸馏水清洗后烘干；二、将烘干后的LY12铝合金置于微弧氧化电解槽中电解，得微弧氧化后的LY12铝合金；三、将微弧氧化后的LY12铝合金置于蒸馏水中封孔，即完成。本发明所得陶瓷膜空间稳定性和结合力均好；膜层厚度可控制在5～100μm，耐紫外辐照性好；太阳吸收率可控制在0.4～0.9。 |
发布日期：2011-06-20 15:30:00