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| 专利名称： | 碳化硅陶瓷的制备方法 |
| 公开（告）号： | CN102030534A |
| 公开（公告）日： | 2011-04-27 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN201010538068.7 |
| 申请日： | 2010-11-09 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 浙江大学 |
| (申请)专利权（人）： | 郭兴忠;杨辉;胡常炳;张玲洁;郑志荣;高黎华 |
| 内容： | 本发明公开了一种碳化硅陶瓷的制备方法，依次包括以下步骤：1)由重量含量为92％～96％的碳化硅以及重量含量为4％～8％的氧化镧和二氧化硅的混合物组成主料，将主料、分散剂、粘结剂和去离子水进行球磨混合；2)对所得的水基碳化硅浆料进行喷雾造粒；3)对所得的碳化硅造粉粒进行干压一次成型；4)将所得的碳化硅素坯放入真空高温烧结炉中进行烧结，烧结温度1750～1900℃，烧结时间0.5～2小时，得碳化硅陶瓷。采用该方法制备碳化硅陶瓷，具有降低烧结温度、减少烧结助剂比例、提高碳化硅陶瓷性能、降低生产成本等特点。 |
发布日期：2011-06-21 10:41:00