| 专利名称： | 掺杂的五元系低温烧结压电陶瓷材料及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101343182B |
| 公开（公告）日： | 2011-05-04 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200810150744.6 |
| 申请日： | 2008-08-28 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 陕西师范大学 |
| (申请)专利权（人）： | 杨祖培;晁小练 |
| 内容： | 一种掺杂的五元系低温烧结压电陶瓷材料，用下述通式表示的材料组成： 0.02Pb(Mg1/2W1/2)O3-yPb(Sb1/2Nb1/2)]O3-(0.39-y)Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb0.59(Zr0.38Ti0.21)O3+xB a(Cu1/2W1/2)O3，式中0.00wt.％≤x≤0.40wt.％，0.000＜y≤0.030mol。其制备方法包括制备制备钨铜酸钡、配料合成、预烧、造粒、压片、排胶、烧结、烧银、极化工艺步骤。本发明经大量的实验室研究实验，结果表明，所制备高压电常数、高平面压电常数、低温烧结五元系压电陶瓷材料的性能与文献报道的同类陶瓷材料相比，机械品质因数Qm和介电损耗tanδ明显降低，压电常数d33和平面机电耦合系数 Kp明显提高，并且烧结温度明显从1200℃降到930℃，制备工艺简单、重复性好，成品率高、成本低的优点。 |
发布日期：2011-06-21 15:02:00