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| 专利名称： | W-ZrC-SiC金属陶瓷及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101709421B |
| 公开（公告）日： | 2011-05-11 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200910227194.8 |
| 申请日： | 2009-12-11 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| (申请)专利权（人）： | 王松;张守明;李伟;祝玉林;陈朝辉 |
| 内容： | 本发明公开了一种W-ZrC-SiC金属陶瓷及其制备方法，本发明的金属陶瓷包含有45％～65％体积分数的碳化锆、25％～45％体积分数的钨和1％～20％体积分数的碳化硅，其步骤是以碳化钨和聚碳硅烷先驱体为原料成型碳化钨素坯，碳化钨素坯经高温裂解制得碳化钨-碳化硅多孔陶瓷，再以碳化钨-碳化硅多孔陶瓷为基材，用金属锆或者锆的合金进行金属熔渗，最后经高温热处理得到W-ZrC-SiC金属陶瓷。本发明制备方法的工艺设备要求简单，容易操作，制得的金属陶瓷产品力学性能良好，耐高温，抗氧化及耐烧蚀性能优异。
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发布日期：2011-06-21 16:26:00