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| 专利名称： | 一种纳米复合磁电陶瓷的制备方法 |
| 公开（告）号： | CN102010191B |
| 公开（公告）日： | 2011-10-05 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN201010520284.9 |
| 申请日： | 2010-10-27 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 武汉大学; |
| (申请)专利权（人）： | 柳阳; 阮学峰; 李楚峰; 石兢; 熊锐; |
| 内容： | 本发明公开了一种CoFe2O4/BaTiO3纳米复合磁电陶瓷的制备方法，属于电子信息元器件材料领域。本发明利用纳米尺寸的铁酸钴和亚微米尺寸的钛酸钡为原料，利用等离子放电烧结技术制备高致密度的CoFe2O4/BaTiO3复合陶瓷。本发明方法利用等离子放电烧结的低温快速成型特性，烧结的陶瓷在具有高致密度的同时避免了杂相的产生以及两相之间的耦合错位，从而保证了陶瓷具有良好的磁电耦合性能。本发明方法制备得到的陶瓷在信息存储、集成电路、磁传感器以及自旋电子器件等方面有很好的应用前景。
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发布日期：2013-07-12 16:10:00