首页>>发明专利>> 陶瓷体上硅衬底的制备方法
| 专利名称： | 陶瓷体上硅衬底的制备方法 |
| 公开（告）号： | CN107731731A |
| 公开（公告）日： | 2018-02-23 10:55:31 |
| 申请（专利）号： | CN201710940454.0 |
| 申请日： | 2017-10-11 10:55:39 |
| 发明（设计）人： | 李瑾;冒薇;王丰梅;杨静;赵书平 |
| (申请)专利权（人）： | 苏州研材微纳科技有限公司 |
| 内容： | 本发明涉及一种制备方法，尤其是一种陶瓷体上硅衬底的制备方法，属于陶瓷体上硅的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述陶瓷体上硅衬底的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：步骤1、提供所需的第一硅衬底以及第二硅衬底，并对所述第一硅衬底、第二硅衬底进行所述清洗；步骤2、在第一硅衬底上均匀涂覆陶瓷埋材层，所述陶瓷埋材层包括聚硅氮烷；步骤3、将第二硅衬底键合在上述第一硅衬底上，第二硅衬底通过陶瓷埋材层与第一硅衬底间隔；步骤4、对上述陶瓷埋材层进行陶瓷化工艺，以得到位于第一硅衬底与第二硅衬底之间的陶瓷体绝缘埋层。本发明能有效制备得到陶瓷体上硅衬底，工艺步骤简单，安全可靠。 |
发布日期：2018-03-30 10:56:04