| 专利名称： | 半导体器件中作为低K膜的多孔陶瓷材料 |
| 公开（告）号： | CN1961417 |
| 公开（公告）日： | 2007-05-09 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | 200580017456.8 |
| 申请日： | 2005-06-15 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 英特尔公司 |
| (申请)专利权（人）： | 格兰特·M·克洛斯特;吉鹏·莱乌;迈克尔·D·古德内尔;迈克尔·G·哈弗蒂;萨达希旺·尚卡尔 |
| 内容： | 摘要 介绍了一种在半导体器件中的低k、较高E的多孔陶瓷膜的选择和形成方法。选择具有较高杨氏模量和较低介电常数的陶瓷材料。通过使该膜多孔化来减小k。 |
发布日期：2007-07-10 19:26:00