| 专利名称： | 电介质陶瓷及其制造方法 |
| 公开（告）号： | CN1970496 |
| 公开（公告）日： | 2007-05-30 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | 200610146744.X |
| 申请日： | 2006-11-22 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 太阳诱电株式会社 |
| (申请)专利权（人）： | 竹冈伸介 |
| 内容： | 摘要 本发明涉及电介质陶瓷及其制造方法。其特征在于，所述电介质陶瓷为以钙钛矿型氧化物为主要成分、含有烧结助剂的烧结后的电介质陶瓷，所述烧结助剂具有以一定量为界限，随着其含量的增加，致密化温度降低，随着其含量的减少，致密化温度下降后上升的特点，并且，所述烧结助剂的含量低于上述一定量，为处于致密化温度低的区域内的量。该电介质陶瓷的制造方法的特征在于添加所述量的烧结助剂。其中使用的钙钛矿型氧化物用通式ABO3表示，A-site/B-site 比为0.98～1.03，所述烧结助剂为B及Li、或Si取代部分B得到的 B、Li及Si，B、Li及Si的含量为相对于所述钙钛矿型氧化物100摩尔％、换算成B2O3、Li2O及SiO2为0.1～4.0摩尔％。 |
发布日期：2007-07-11 08:25:00