| 专利名称： | 混合外延支撑件及其制作方法 |
| 公开（告）号： | CN1985368 |
| 公开（公告）日： | 2007-06-20 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | 200580023545.3 |
| 申请日： | 2005-06-02 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | S.O.I.探测硅绝缘技术公司 |
| (申请)专利权（人）： | 布鲁斯·福雪;哈桑·拉雷什 |
| 内容： | 摘要 本发明涉及一种用于制作一外延支撑件的方法，其包括在一第一单晶导电碳化硅(SiC) 或单晶氮化镓(GaN)衬底中形成一绝缘单晶碳化硅或一绝缘单晶氮化镓层。所述方法进一步包括将所述单晶碳化硅或氮化镓层转移至一由具有一不小于1.5W.cm-1.K-1的导热率的多晶硅陶瓷材料制成的第二衬底(4)上。所述方法能够制造尤其对于高频功率应用而言既经济又有效的电子组件。 |
发布日期：2007-07-11 15:28:00