| 专利名称： | 气相渗硅工艺制备碳纤维增强碳化硅基复合材料的方法 |
| 公开（告）号： | CN1850730 |
| 公开（公告）日： | |
| 申请（专利）号： | 200610026998.8 |
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| 发明（设计）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| (申请)专利权（人）： | 周 清;董绍明;丁玉生;张翔宇;王 震; |
| 内容： | 摘要 本发明涉及一种气相渗硅工艺制备高致密纤维增强SiC基复合材料的制备方法。首先采用气相或液相途径在纤维表面形成保护层界面，然后通过在纳米SiC浆料浸渍、裂解，制备成具有一定致密度的纤维增强SiC基的预制体。再通过浸渍裂解方式向预制体中引入碳，形成具有一定孔隙的基体，经高温处理后，以气相硅的方式渗透多孔体内部，与碳反应并填充孔隙，得到致密基体。通过该工艺制成碳纤维增强SiC陶瓷基复合材料密度达到 2.25-2.30g/cm3，开口空隙率在3-6％，大大高于传统化学气相渗透法或有机前驱物浸渍裂解解法得到Cf/SiC材料。 主权项 |
发布日期：2006-10-29 22:15:00