| 专利名称： | 钽基化合物的陶瓷溅镀靶材及其应用方法和制备方法 |
| 公开（告）号： | CN1844446 |
| 公开（公告）日： | |
| 申请（专利）号： | 200510064911.1 |
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| 发明（设计）人： | 光洋应用材料科技股份有限公司 |
| (申请)专利权（人）： | 赵勤孝;李仲仁 |
| 内容： | 摘要 本发明为一种用于铜金属化处理阻碍层的钽基化合物的陶瓷溅镀靶材，其具有以下的组成：Ta1CxNyOz；0＜(x+y+z)＜2.5；0≤x＜1.5； 0≤y＜1.7；0≤z＜2.5；其中，通过直接使用上述的靶材进行溅镀，可以简化传统反应性溅镀阻碍层的操作手续，并减少设备的污染，以节省溅镀成本。本发明中同时揭露有该钽基化合物陶瓷溅镀靶材的应用方法和制备方法。 主权项 1.一种用于铜金属化处理阻碍层之钽基化合物的陶瓷溅镀靶材，其特征是，具有以下的组成： Ta1CxNyOz 0＜(x+y+z)＜2.5； 0≤x＜1.5； 0≤y＜1.7；与 0≤z＜2.5。 |
发布日期：2006-10-26 19:31:00