| 专利名称： | 均匀沉淀－超临界二氧化碳干燥法制备纳米氧化镁的方法 |
| 公开（告）号： | CN1281498 |
| 公开（公告）日： | |
| 申请（专利）号： | CN200410155314.5 |
| 申请日： | |
| 发明（设计）人： | 大连理工大学 |
| (申请)专利权（人）： | 王宝和;于才渊;张文博;张 伟 |
| 内容： | 摘要 均匀沉淀—超临界二氧化碳干燥法制备纳米氧化镁的方法属于纳米材料制备技术领域。主要内容是在水溶液中采用均匀沉淀法制备氢氧化镁沉淀，用乙醇置换出沉淀中的水，再采用超临界CO2干燥法除去沉淀中的乙醇，乙醇经分离器析出回收，CO2可以循环利用。高温煅烧干燥后的氢氧化镁得到纳米级MgO粉体。该方法解决了制备纳米粉体干燥时的团聚问题，并且操作工艺简单，易于实现工业化。纳米氧化镁在陶瓷、搪瓷、医学、化妆品、油漆、纸张和航空、军事、量子器件、微电子学等领域有着广泛的应用前景。 主权项 |
发布日期：2006-10-28 22:35:00