| 专利名称： | 一类氧离子导体电解质薄膜构造的脉冲磁控溅射制备方法 |
| 公开（告）号： | CN1282201 |
| 公开（公告）日： | |
| 申请（专利）号： | CN200410020406.2 |
| 申请日： | |
| 发明（设计）人： | 大连理工大学 |
| (申请)专利权（人）： | 姜雪宁;张庆瑜;陈充林 |
| 内容： | 摘要 本发明属于功能新材料技术领域，涉及一类多层复合纳米氧离子导体电解质薄膜材料的构造及其制备方法。采用YSZ与RCO陶瓷靶，以单晶硅、MgO以及 1～3mm厚Ni-YSZ或Ni-RCO阳极板为基片，靶-基距为30～80mm；背底真空度1 ×10-4～1×10-5Pa，基片温度300℃～800℃；工作气体中氧气-氩气气压比为 5％～40％；起辉气压0.5～3.5Pa，溅射功率80～200W，脉冲频率10kHz～100kHz，偏压50～200V。每层膜溅射时间2～30s，每层膜厚10～200纳米，薄膜层数n≥3。通过制备多层复合纳米薄膜，可使电解质的氧离子电导率提高10％～50％，使用温度降低100～400℃，同时可实现RCO的纯氧离子导电，优化燃料电池性能；利用多靶脉冲磁控溅射技术可以方便地实现多层复合纳米薄膜的制备，同时具有制膜速度快、成膜质量高、膜基结合力大、成本低、适于大规模生产等优点。 主权项 |
发布日期：2006-10-29 20:09:00