| 专利名称： | 非还原介电陶瓷和使用它的陶瓷电子元件 |
| 公开（告）号： | CN1306524 |
| 公开（公告）日： | 2007-03-21 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200510003977.X |
| 申请日： | 2002-01-10 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 株式会社村田制作所 |
| (申请)专利权（人）： | 内藤正浩 |
| 内容： | 摘要 一种非还原介电陶瓷，它包含：钨青铜型晶相，它至少是BaRE2Ti4O12 型晶相和BaRE2Ti5O14型晶相之一；以及烧绿石晶相，它是RE2Ti2O7型晶 相，其中RE是Nd、La和Sm中至少之一，并且其中0.10≤b/(a+b)≤0.90， a是经X射线衍射而得到的钨青铜型晶相的最大峰值强度，b是经X射线 衍射而得到的烧绿石型晶相的最大峰值强度。一种陶瓷电子元件，包括由 所述非还原介电陶瓷构成的电子元件主体以及与该非还原介电陶瓷相接 触的导体。 |
发布日期：2007-06-02 20:11:00