| 专利名称： | 一种高温下稳定使用的铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN1994966 |
| 公开（公告）日： | 2007-07-11 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | 200610147892.3 |
| 申请日： | 2006-12-25 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| (申请)专利权（人）： | 李玉臣;包绍明;周志勇;姚 烈;董显林 |
| 内容： | 一种在高温下稳定使用的铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法，属压电陶瓷领域。铋层状结构型压电陶瓷材料的化学通式为：Bi2O22+(Am-1BmO3m+1)2；其中 CaBi4Ti4O15相应的化学式为：(Bi2O2)2+(CaBi2Ti4O13)2+，A位为Ca2+、Bi3+离子，B位为Ti4+离子，m＝4。本发明的压电陶瓷材料采用传统固相反应法进行制备，可获得各种形状的压电陶瓷元件；材料的主要性能为：ε33T/ε0＝130，tanδ＝0.10％，Tc ＝782℃，d33＝19pC/N，ρv(480℃)＝1×109Ω·cm，且能在室温至480℃范围内反复使用。利用这类陶瓷元件组装成的各种压电传感器，可在高温条件下的测量、探测与自动控制等方面获得广泛应用。 |
发布日期：2007-07-20 10:32:00