| 专利名称： | 多孔陶瓷的孔壁碳化硅涂层及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN1994974 |
| 公开（公告）日： | 2007-07-11 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | 200610147624.1 |
| 申请日： | 2006-12-20 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| (申请)专利权（人）： | 丁书强;曾宇平;朱云洲;江东亮 |
| 内容： | 本发明涉及一种多孔陶瓷的孔壁碳化硅涂层及其制备方法，属于多孔陶瓷的表面改性领域。其特征在于将欲改性的多孔陶瓷体置于浸渍罐内，抽真空后向浸渍罐内注入聚碳硅烷溶液，然后通入高压气体，使聚碳硅烷溶液在高压下完全进入多孔陶瓷的孔道，从而在孔壁上形成均匀的涂层。干燥后，浸渍体在氩气中高温处理，使聚碳硅烷裂解为碳化硅，得到多孔陶瓷的孔壁碳化硅涂层。通过多次浸渍-裂解，可以制备不同厚度的涂层。本发明所提供的涂层为β-SiC，适用于带互连孔隙结构，孔径在0.1微米，开口孔隙率大于30％的多孔陶瓷，如氧化铝多孔陶瓷、莫来石多孔陶瓷、氧化物结合的碳化硅或氮化硅多孔陶瓷或堇青石多孔陶瓷。 |
发布日期：2007-07-20 10:35:00