| 专利名称： | 一种耐高温耐高压陶瓷应片传感器及其封装固化方法 |
| 公开（告）号： | CN1995926 |
| 公开（公告）日： | 2007-07-11 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | 200610105246.0 |
| 申请日： | 2006-12-22 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 西安森舍电子科技有限责任公司 |
| (申请)专利权（人）： | 邓军安;赵宏斌;张超峰 |
| 内容： | 本发明公开了一种耐高温耐高压陶瓷应片传感器及其封装固化方法，陶瓷应变片一端连接有陶瓷应片正电极引线，在传感器壳体上灌封后端灌封膜，后端灌封膜两侧还连接铜环，应变片固定座置后端灌封膜及陶瓷应变片，陶瓷应变片另一侧与前端灌封膜连接，陶瓷应变片另一端连接有陶瓷应变片负电极引线，负电极引线连接在应变片固定座铜环上。封装固化方法：包括溶剂油清洗；焊电极引线；恒温预热；灌封；恒温加热；摩平；测试容值。具有结构简单，使用方便，使用寿命长，封装工艺简单的特点，提高信号接收幅度及重复性；耐温耐压性达到150℃、60MPa；使用寿命为无限，达到免维护；适用于变形信号测量的场所及井下超声流量计等。 |
发布日期：2007-07-20 10:39:00