| 专利名称： | 加热消除绝缘陶瓷样品荷电效应的方法 |
| 公开（告）号： | CN101017123 |
| 公开（公告）日： | 2007-08-15 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | 200710064136.9 |
| 申请日： | 2007-03-02 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 北京工业大学 |
| (申请)专利权（人）： | 吉 元;徐学东;付景永;王 丽;张隐奇 |
| 内容： | 本发明是一种加热消除绝缘陶瓷样品荷电效应的方法。该方法主要用于消除陶瓷类绝缘样品在电子束辐照下产生的荷电效应，达到在扫描电镜中直接对绝缘样品进行观察和分析的目的。本发明是在SEM中配置一个加热装置，而不改变SEM原有的真空系统、电子光学系统和电子信号探测系统。加热使绝缘样品的荷电效应逐渐减小和消除。由于加热是在高真空环境中进行的，因而减小了残余气体分子对入射电子的散射作用，避免了残余气体对样品表面的污染，从而提高了图像的质量。与通常的采用负电荷与正离子中和的方法来消除荷电效应的结果相比较，加热消除荷电可使非导电样品的二次电子像具有更好的图像衬度和信噪比，是一种简便、有效的荷电补偿方法。 |
发布日期：2007-08-15 14:55:00