| 专利名称： | 金属陶瓷衬底或铜陶瓷衬底的制造方法以及用于所述方法中的支架 |
| 公开（告）号： | CN101049056 |
| 公开（公告）日： | 2007-10-03 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | 200580036953.2 |
| 申请日： | 2005-10-05 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 库拉米克电子学有限公司 |
| (申请)专利权（人）： | 于尔根·舒尔茨-哈德;安德列斯·K·弗瑞茨曼;亚历山大·罗格;卡尔·伊格赛尔 |
| 内容： | 本发明公开了一种用于制造金属陶瓷衬底的方法，在其两侧利用直接键合工艺金属化。根据所述方法，通过加热到直接键合温度，在支架(1)的隔离层(2)上形成至少一个包括第一和第二金属层(3，5) 以及位于所述金属层(3，5)之间的陶瓷层(4)的DCB堆叠。在键合过程中，至少一个所述金属层(3，5)支撑在隔离层(2)上，该隔离层由多孔层或涂层组成，该多孔层或涂层由包括多铝红柱石、Al2O3、 TiO3、ZrO2、MgO、CaO、CaCO2的组中的隔离层材料或所述材料中至少两种材料的混合物制成。 |
发布日期：2007-10-07 10:25:00