| 专利名称： | 一种无TiC杂质相的碳化硅钛陶瓷粉体的合成方法 |
| 公开（告）号： | CN101066869 |
| 公开（公告）日： | 2007-11-07 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200710118878.5 |
| 申请日： | 2007-06-13 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 北京交通大学 |
| (申请)专利权（人）： | 李世波;向卫华;陈新华;翟洪祥;周 洋 |
| 内容： | 本发明公开了一种低成本无TiC杂质相的碳化硅钛陶瓷粉体的常压合成方法，以Ti粉、Si粉和TiC粉为原料，Al为反应助剂，按Ti∶TiC∶Si∶Al＝1∶1∶(0.9～1)∶(0.1～0.2)的摩尔比配料，干混5～10小时后，在30～50MPa压力下压制成块，将压块置于高温炉中，氩气或真空气氛下，以15～50℃/min的升温速率将炉温升至1450～1550℃，保温时间为5～15min，制得无TiC杂质相的Ti3SiC2粉体。该方法具有：合成Ti3SiC2粉体时间短，纯度高，成本低，所用设备简单，工艺参数稳定，适用于规模化生产。 |
发布日期：2007-11-08 08:17:00