| 专利名称： | 掺钕和钐的铋层状压电陶瓷及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101074164 |
| 公开（公告）日： | 2007-11-21 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | 200710042361.2 |
| 申请日： | 2007-06-21 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| (申请)专利权（人）： | 孙 琳;冯楚德;陈立东 |
| 内容： | 本发明涉及掺钕和钐的铋层状压电陶瓷及其制备方法，属于压电陶瓷领域。该材料的组成为Sr1-yBi2-x+yRexNb2O9，其中，Re＝Nd或Sm， 0＜x≤0.4，0≤y≤0.5，按照固相工艺制备方法，制备的铋层状压电陶瓷材料具有低介电常数，低的机电耦系数，高的机械品质因数以及很好的谐振频率温度稳定性等优点，是一种应用于压电陶瓷滤波器和振荡器的优良候选材料。 |
发布日期：2007-11-23 08:50:00