| 专利名称： | 一种低介电常数微波介质陶瓷 |
| 公开（告）号： | CN1830889 |
| 公开（公告）日： | |
| 申请（专利）号： | 200610050023.9 |
| 申请日： | |
| 发明（设计）人： | 浙江大学 |
| (申请)专利权（人）： | 陈湘明;郑昌伟 |
| 内容： | 摘要 本发明公开的低介电常数微波介质陶瓷，其表达式为：xMgO·yZnO·zAl2O3，其中，5.0mol％≤x≤55.0mol％，5.0mol％≤y≤55.0mol％，45.0mol％≤z≤55.0mol％， x+y+z＝100mol％。本发明的微波介质陶瓷具有低介电常数、低损耗与近零谐振频率温度系数，其介电常数为7-9，Qf值高达60,000～160,000GHz。利用本发明提供的低损耗微波介质陶瓷，可使介质谐振器与滤波器等微波元器件适合更高频率与更大功率的应用。同时，本发明提供的陶瓷亦可应用于高频陶瓷电容器、温度补偿陶瓷电容器或微波基板等。因此，本发明在工业上有着极大的价值。 主权项 1.一种低介电常数微波介质陶瓷，其特征是它的表达式为： xMgO.yZnO.zAl2O3，各成分含量分别是： 设MgO的含量为x，5.0mol％≤x≤55.0mol％， ZnO的含量为y，5.0mol％≤y≤55.0mol％， Al2O3的含量为z，45.0mol％≤z≤55.0mol％， x+y+z＝100mol％。 |
发布日期：2006-10-22 21:09:00