| 专利名称： | 梭式窑可控制还原气氛烧制陶瓷方法 |
| 公开（告）号： | CN1834063 |
| 公开（公告）日： | |
| 申请（专利）号： | 200610034770.3 |
| 申请日： | |
| 发明（设计）人： | 华南理工大学 |
| (申请)专利权（人）： | 张海文;曾令可;罗民华;王 慧;刘平安; |
| 内容： | 摘要 本发明提供梭式窑可控制还原气氛烧成陶瓷方法，步骤包括升温、干燥、烧成、保温、冷却、出窑，在梭式窑温度为500～1400℃，保温30～60分钟时，将盛有水敞口容器置于梭式窑下方的吸火口处，敞口容器的面积不小于吸火口的垂直投影面积。本方法可以很好的避免烧制陶瓷时的高温氧化问题，大大提高青瓷产品的质量，节约燃料、减少污染；并且具有成本低，易操作等优点。 主权项 1、梭式窑可控制还原气氛烧成陶瓷方法，步骤包括升温、干燥、烧成、保温、冷却、出窑，其特征在于：在梭式窑温度为500～1400℃，保温30～60分钟时，将盛有1～2升水的敞口容器置于梭式窑下方的吸火口处，敞口容器的面积不小于吸火口的垂直投影面积。 |
发布日期：2006-10-24 17:48:00