| 专利名称： | 高压电系数无铅锆钛酸锶钡系压电陶瓷 |
| 公开（告）号： | CN1837144 |
| 公开（公告）日： | |
| 申请（专利）号： | 200510033681.2 |
| 申请日： | |
| 发明（设计）人： | 广东工业大学 |
| (申请)专利权（人）： | 唐新桂;邓颖宇;蒋力立;陈王丽华 |
| 内容： | 摘要 本发明公开了一种高压电系数无铅锆钛酸锶钡(BSZT)系压电陶瓷，用溶胶-胶凝法、固相反应法、湿化学溶液法、模板晶粒生长(Templated Grain Growth， TGG)技术、反应模板晶粒生长(Reactive Templated Grain Growth，RTGG)技术制备或其他方法制备合成压电电陶瓷，组分(Ba1-xSrx)(ZryTi1-y)O3配方中的0≤x≤ 0.15，0≤y≤0.15；用此配方制备的无铅BSZT功能压电陶瓷具有非常良好的介电特性、高压电系数，与纯的钛酸钡陶瓷相比，压电系数可以提高2至3倍，与传统有铅的铅基压电陶瓷相比具有明显的优点，成分无铅，适合环境保护要求，此类无铅压电陶瓷非常适合于中、低温压电元器件应用。 主权项 1.一种高压电系数无铅锆钛酸锶钡压电陶瓷，用溶胶-胶凝法、湿化学溶液法、固相反应法、模板晶粒生长(TemplatedGrainGrowth，TGG)技术、反应模板晶粒生长(ReactiveTemplatedGrainGrowth，RTGG)技术制备或其他方法制备合成压电电陶瓷，其特征在于：组分(Ba1-xSrx)(ZryTi1-y)O3配方中的0≤x≤ 0.15，0≤y≤0.15。 |
发布日期：2006-10-24 18:33:00