| 专利名称： | 一种稀土氧化物掺杂的ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷介质 |
| 公开（告）号： | CN1844044 |
| 公开（公告）日： | |
| 申请（专利）号： | 200610042720.X |
| 申请日： | |
| 发明（设计）人： | 西安交通大学 |
| (申请)专利权（人）： | 李盛涛;成鹏飞 |
| 内容： | 摘要 本发明公开了一种稀土氧化物掺杂的ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷介质，按摩尔百分比，包括下述组分：ZnO为91～98％；Bi2O3、Cr2O3、Co2O3、Ni2O3、 MnCO3和SiO2各为0.1～1.0％；H3BO3为0.01～0.2％，Al(NO3)3·9H2O为 0.001～0.01％；Sb2O3为0.5～2％；稀土氧化物Ce2O3或Gd2O3，其含量为0.1～ 1.0％。本发明通过对稀土氧化物Ce2O3、Gd2O3单掺杂和双掺杂，并调整掺杂含量的合理比例，在1100～1180℃烧结得到的陶瓷介质，电位梯度可提高到500V/mm以上。本发明的压敏陶瓷介质可用于制造超/特高压电力系统的优质避雷器产品。 主权项 1.一种稀土氧化物掺杂的ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷介质，其特征是，按摩尔百分比，包括下述组分：ZnO为91～98％；Bi2O3、Cr2O3、Co2O3、Ni2O3、 MnCO3和SiO2各为0.1～1.0％；H3BO3为0.01～0.2％，Al(NO3)3·9H2O为 0.001～0.01％；Sb2O3为0.5～2％；稀土氧化物Ce2O3、Gd2O3的一种或两种，其含量各为0.1～1.0％。 |
发布日期：2006-10-26 19:12:00