| 专利名称： | 一种含丁二炔基聚硅氮烷及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN1865320 |
| 公开（公告）日： | 2006-11-22 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | 200510070889.1 |
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| 发明（设计）人： | 中国科学院化学研究所 |
| (申请)专利权（人）： | 颜 梅;张志杰;谭永霞;谢择民 |
| 内容： | 摘要 本发明公开了一种含丁二炔基聚硅氮烷及其制备方法。本发明所提供的含丁二炔基聚硅氮烷，其结构式如式I所示，其中，R、R′为H，芳香基，碳原子数为1-6的烷基或烯烃基，n为1-20的整数，m为1-100的整数。本发明含丁二炔基聚硅氮烷具有良好的热稳定性，可发出一定强度的荧光，具有良好的导电性，其制备方法产率高，可达80-98％，可用作陶瓷前驱体，发光材料，导电材料等，具有广泛的应用前景。 主权项 权利要求书 1、一种含丁二炔基聚硅氮烷，其结构式如式I所示， (式I) 其中，R、R′为H，芳香基，碳原子数为1-6的烷基或烯烃基，n为1-20的整数，m为1-100的整数。 |
发布日期：2006-11-28 20:08:00