| 专利名称： | 一种锑掺杂多元氧化物透明导电膜的制备方法 |
| 公开（告）号： | CN1287003 |
| 公开（公告）日： | 2006-11-29 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200410035913.3 |
| 申请日： | 2004-10-12 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 山东大学 |
| (申请)专利权（人）： | 马 瑾;黄树来;马洪磊 |
| 内容： | 摘要 一种锑掺杂的多元氧化物透明导电薄膜的制备方法，属于电子材料技术领域。在 Zn-Sn-O薄膜中进行锑掺杂，用射频磁控溅射技术在真空条件下制备出具有多晶结构的 Zn-Sn-O:Sb透明导电膜，溅射用陶瓷靶组分为氧化锌、氧化锡和三氧化二锑；制备工艺条件为：氩气分压0.5-5Pa，氧气分压0-6mPa，溅射功率50-200W，温度150-450℃。本发明的复合透明导电薄膜材料兼备ZnO在氢等离子体中稳定性好和SnO2电学稳定性高的优点，同时价格低而且无毒，应用范围增大，应用前景广阔，可替代目前大量使用的 ITO薄膜，可节约大量贵重金属铟。 主权项 权利要求书 1、锑掺杂多元氧化物透明导电薄膜材料的制备方法，其特征在于在Zn-Sn-O薄膜中进行锑掺杂，用射频磁控溅射技术在真空条件下制备出具有多晶结构的Zn-Sn-O:Sb透明导电膜，溅射用陶瓷靶组分如下，均为摩尔份： 氧化锌 1-2份， 氧化锡 1-2份， 三氧化二锑 0.03-0.1份； Zn-Sn-O:Sb透明导电膜制备工艺条件为：氩气分压0.5-5Pa，氧气分压0-6mPa，溅射功率50-200W，温度150-450℃。 |
发布日期：2006-12-03 19:52:00