| 专利名称： | 一种金刚石涂层Al2O3电子陶瓷基片制备方法 |
| 公开（告）号： | CN1287418 |
| 公开（公告）日： | 2006-11-29 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200310103181.2 |
| 申请日： | 2003-11-07 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 北京科技大学 |
| (申请)专利权（人）： | 唐伟忠;赵中琴;吕反修;李成明;陈广超;佟玉梅 |
| 内容： | 摘要 本发明提供了一种金刚石涂层Al2O3电子陶瓷基片制备技术，其特征在于：首先采用等离子体CVD技术，制备一种含有金刚石相的复相过渡层，过渡层的制备是以含有碳、氢、硅、氧元素的气体混合物为反应气体，在Al2O3陶瓷基片上沉积出一层含有金刚石相和SiO2的复相薄膜；然后再采用等离子体CVD技术，在复相薄膜上，进一步沉积出金刚石涂层。本发明的优点在于：所获得的金刚石涂层Al2O3陶瓷基片热导率高、涂层附着力好、制备方法简单、制备成本较低。 主权项 权利要求书 1、一种金刚石涂层Al2O3电子陶瓷基片制备方法，其特征在于：首先采用等离子体CVD技术，制备一种含有金刚石相的复相过渡层，过渡层的制备是以含有碳、氢、硅、氧元素的气体混合物为反应气体，在Al2O3陶瓷基片上沉积出一层含有金刚石相和SiO2的复相薄膜；然后再采用等离子体CVD技术，在复相薄膜上，进一步沉积出金刚石涂层；具体工艺为： a、制备含有金刚石相的复相过渡层：采用等离子体CVD技术，以上述气体混合物为反应气体，反应气体中氢、碳、硅、氧各元素的比例为50～200∶ 1～4∶0.5～2∶0.5～2；将反应气体的压力调整至10～100乇的范围内，在被加热至700～1000℃的Al2O3陶瓷基片上沉积含有金刚石相和SiO2的复相薄膜；在等离子体作用的条件下，上述气体混合物将产生出含有氢原子、碳-氢、硅-氧、碳-硅原子团的气体混合物，后者将在Al2O3陶瓷基片上实现沉积，而沉积产物将形成包含金刚石、SiO2固相的复合薄膜，这样一种复相沉积物将可被作为进一步沉积金刚石涂层的过渡层； b、制备金刚石涂层：在制备了上述含有金刚石及SiO2的复相过渡层上，进一步采用等离子体CVD技术，以上述气体混合物为反应气体，反应气体中氢、碳元素的比例为50～200∶1～4，将混合气体的压力调整至10～100乇的范围内，在被加热至700～1000℃的Al2O3陶瓷基片上沉积单独含有金刚石相的金刚石涂层；在等离子体环境中，此气体混合物将在被加热的、形成了复相过渡层的Al2O3陶瓷基片上沉积而形成高热导率的金刚石涂层。 |
发布日期：2006-12-03 20:03:00