| 专利名称： | 陶瓷积层式晶片元件的陶瓷釉被覆结构和制造方法 |
| 公开（告）号： | CN1868972 |
| 公开（公告）日： | |
| 申请（专利）号： | 200510071161.0 |
| 申请日： | 2005-05-23 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 佳邦科技股份有限公司 |
| (申请)专利权（人）： | 刘世宽;黄俊彬;徐钰钦 |
| 内容： | 摘要 本发明公开了一种晶片元件的陶瓷釉被覆结构及其制造方法，其主要特征在于：晶片元件的陶瓷釉被覆结构，于元件本体完整覆盖致密性高，光滑(smooth)且高阻抗的陶瓷釉 (glaze)；而端电极部位是利用端电极材料，也就是银胶(silver paste)，与陶瓷釉之间独特的烧附特性，利用烧结而吸收去除端电极表面、端电极与陶瓷本体之间的陶瓷釉层，构成仅被覆着晶片元件本体的陶瓷釉被覆结构。 主权项 |
发布日期：2006-12-03 20:34:00