| 专利名称： | 一种低电阻率的热释电陶瓷的制备方法及其材料 |
| 公开（告）号： | CN1289436 |
| 公开（公告）日： | |
| 申请（专利）号： | CN200410025136.4 |
| 申请日： | 2004-06-11 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| (申请)专利权（人）： | 姚春华;董显林;林盛卫;瞿翠凤;金绮华;孙大志 |
| 内容： | 摘要 本发明涉及一种低电阻率锆钛酸铅热释电陶瓷材料的制备方法，其特征在于：1)Zr/Ti比例控制在(80～93)∶(20～7)范围内；2)烧结添加物为 Sb2O3，MnCO3和Al2O3，以PZT为基准，添加量分别为1-5wt％；本发明提供的制备方法可使锆钛酸铅热释电陶瓷材料的电阻率控制在1～4×1011Ωcm 范围内，同时保持材料原有的热释电性能不变，从而能够降低器件成本，提高器件集成度，有望应用于探测器和非致冷焦平面红外热像仪中。 主权项 权利要求书 1.一种低电阻率热释电陶瓷的制备方法，以Pb2O3、TiO2和ZrO2为起始原料，按Pb(Zrx，Ti1-x)O3组成配料；添加烧结助剂，然后采用传统的先合成，然后经粉碎、过筛、成型工艺再烧结的二次烧成工艺，其特征在于： 1)Pb(Zrx，Ti1-x)O3组成中X＝0.80-0.93； 2)烧结助剂为Sb2O3，MnCO3和Al2O3，以PZT为基准，添加量分别为1 -5Wt％； 3)二次烧成工艺中合成温度为650-750℃，保温1小时然后850℃ 保温2小时；最终烧成温度为1150-1250℃，且在密封坩埚中进行。 |
发布日期：2006-12-16 20:43:00