| 专利名称： | 压电陶瓷和层压压电元件 |
| 公开（告）号： | CN1886352 |
| 公开（公告）日： | |
| 申请（专利）号： | 200480034997.7 |
| 申请日： | 2004-11-22 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 京瓷株式会社 |
| (申请)专利权（人）： | 川元智裕;内村英树 |
| 内容： | 摘要 一种压电陶瓷，包含具有在A位含有Pb和在B位含有Zr和Ti的 ABO3组成的钙钛矿复合氧化物，其中当构成陶瓷中钙钛矿复合氧化物的 B位的元素的总量设定为1摩尔时，构成B位的元素的平均化合价在 4.002～4.009的范围中。压电陶瓷可以在低温下焙烧，具有高的居里温度和高的压电变形常数以及优异的对高温的耐久性和可靠性。 主权项 |
发布日期：2007-01-09 19:18:00