| 专利名称： | 一种高温结构陶瓷材料SiBONC的制备方法 |
| 公开（告）号： | CN1293015 |
| 公开（公告）日： | |
| 申请（专利）号： | CN200510075767.1 |
| 申请日： | 2004-04-14 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 哈尔滨工业大学 |
| (申请)专利权（人）： | 温广武;李 峰;张俊宝;宋 亮 |
| 内容： | 摘要 一种高温结构陶瓷材料SiBONC的制备方法，涉及一种陶瓷材料的制备工艺。本发明按照下述步骤进行制备：a、将四氯化硅与苯甲醛混合后在紫外灯照射下反应得到硅氧聚合物；b、向硅氧聚合物中加入烷基胺，得到Si-O-N有机聚合物；c、向Si-O-N有机聚合物中通入硼化物，得到Si-B-O-N-C有机聚合物；d、在管式气氛保护炉中，对Si-B-O-N-C有机聚合物进行裂解得到 Si-B-O-N-C粉末；e、将所制备的Si-B-O-N-C粉末在真空/气氛热压中烧结得到致密的Si-B-O-N-C陶瓷。本发明制备的Si-B-O-N-C陶瓷具有工艺简单、制备成本低的优点。 主权项 权利要求书 1、一种高温结构陶瓷材料SiBONC的制备方法，其特征在于它按照下述步骤进行制备：a、将四氯化硅与苯甲醛按照摩尔比为1∶(1～2)的比例混合，在紫外灯照射下反应7～30天，得到低分子量硅氧聚合物；b、向硅氧聚合物中加入烷基胺，其中烷基胺与硅氧聚合物的体积比为(1～5)∶1，控制反应温度在80～100℃的条件下进行烷基化反应8～12小时，得到热分解温度为 200～600℃的Si-O-N有机聚合物；c、向Si-O-N有机聚合物中通入硼化物，在60～100℃的条件下反应10～15小时，得到Si-B-O-N-C有机聚合物，其中 Si/B的摩尔比为(1～6)∶1；d、在管式气氛保护炉中，通入惰性气体，升高温度，控制升温速率为0.1～10℃/min，在400～1000℃、的条件下反应8～12 小时，对Si-B-O-N-C有机聚合物进行裂解，得到Si-B-O-N-C粉末；e、将所制备的Si-B-O-N-C粉末在真空/气氛热压烧结炉中烧结，通入惰性气体，控制反应温度在1400～1900℃、压力为15～25Mpa的条件下保温1～4小时，烧结后得到致密的Si-B-O-N-C非晶与微晶陶瓷制品。 |
发布日期：2007-01-09 20:29:00