| 专利名称： | 等离子处理装置 |
| 公开（告）号： | CN1943012 |
| 公开（公告）日： | 2007-04-04 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | 200680000112.0 |
| 申请日： | 2006-02-10 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 松下电器产业株式会社 |
| (申请)专利权（人）： | 是永哲雄;永留隆二 |
| 内容： | 摘要 公开了一种膜形成装置，其可以抑制粒子的生成并减少清洁过程的工作量。具体公开了这样一种膜形成装置，其通过喷气嘴(14)将气体(13)供应到真空室(1)并且通过向高频天线(7)施加电流将气体(13)转变成等离子体以在基片(6)上形成薄膜(15)。在该膜形成装置中，布置陶瓷内圆筒(20)，以便仅仅圆筒的小面积与真空室(1)接触，用于防止膜形成成分附着到真空室(1)的内壁上。 主权项 |
发布日期：2007-06-10 22:29:00