| 专利名称： | 一种显著提高Y2O3稳定ZrO2陶瓷材料中低温电导率的方法 |
| 公开（告）号： | CN1951870 |
| 公开（公告）日： | 2007-04-25 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200610125049.5 |
| 申请日： | 2006-11-16 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 武汉理工大学 |
| (申请)专利权（人）： | 张东明;雷小力;张联盟 |
| 内容： | 摘要 本发明涉及一种提高Y2O3稳定ZrO2陶瓷材料中低温电导率的方法。一种显著提高Y2O3稳定ZrO2陶瓷材料中低温电导率的方法，其特征在于：将粒径为10-20nm的YSZ粉末放入内径为10mm的石墨模具内，利用脉冲电流烧结设备进行烧结；烧结时轴向压力为25MPa，升温速率70-100℃/min，在1150～1250℃保温3～5分钟，随炉冷却；随后在1000℃空气中退火2小时，除去游离碳，获得Y2O3稳定ZrO2陶瓷材料，其300～500℃电导率为1.013×10-4S/cm～5.065×10-3S/cm。本发明使YSZ陶瓷材料中低温电导率提高10～80倍，且方法简易、成本低，易于进行批量生产。 |
发布日期：2007-06-26 21:08:00