| 专利名称： | 一种高储能密度固态储能介质陶瓷及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN1962540 |
| 公开（公告）日： | 2007-05-16 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | 200610125010.3 |
| 申请日： | 2006-11-13 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 武汉理工大学 |
| (申请)专利权（人）： | 刘韩星;沈宗洋;曹明贺 |
| 内容： | 摘要 本发明涉及一种储能介质陶瓷及其制备方法。一种高储能密度固态储能介质陶瓷，其特征在于它的化学式为NdxSr1-xTiO3，其中0＜x≤0.15。本发明具有高介电常数、低损耗、较高击穿强度的特点。 |
发布日期：2007-07-10 20:16:00