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| 专利名称： | 二硅化钼系陶瓷发热体 |
| 公开（告）号： | CN1964583 |
| 公开（公告）日： | 2007-05-16 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | 200610153889.2 |
| 申请日： | 2006-09-14 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 株式会社理研 |
| (申请)专利权（人）： | 藏前雅规 |
| 内容： | 摘要 本发明提供了耐热性和耐粉糊性优良、接合强度高、耐久性优异的二硅化钼系陶瓷发热体。所述二硅化钼系陶瓷发热体由二氧化硅系氧化物的含量为5～25体积％的发热部和30～60体积％的端子部相接合而构成。另外，也可以在二氧化硅系氧化物含量为大于等于5体积％、小于15体积％的发热部和30～60体积％的端子部之间，设置二氧化硅系氧化物含量为大于等于15 体积％、小于30体积％的中间部。 |
发布日期：2007-07-10 21:03:00