| 专利名称： | 形成复合材料保护层的方法和装置 |
| 公开（告）号： | CN1966467 |
| 公开（公告）日： | 2007-05-23 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | 200610138851.8 |
| 申请日： | 2006-09-07 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 通用电气公司 |
| (申请)专利权（人）： | A·S·法里德;N·S·米拉 |
| 内容： | 摘要 提供一种减少陶瓷复合材料中氧化的方法。该方法包括用第一化学气相渗入(CVI)法将第一部分碳化硅(SiC)基体沉积(130)在至少一部分制品上，用第二CVI法将掺硅(Si)氮化硼(BN)层沉积(140)在至少一部分SiC基体内，和用第三CVI法将第二部分SiC基体沉积(150)在第一部分SiC基体的至少一部分或其延续部分内。 |
发布日期：2007-07-10 21:29:00