| 专利名称： | 锰酸镧系负温度系数半导体陶瓷及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN1974476 |
| 公开（公告）日： | 2007-06-06 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | 200610130271.4 |
| 申请日： | 2006-12-15 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 天津大学 |
| (申请)专利权（人）： | 马卫兵;孙凤云;孙清池 |
| 内容： | 摘要 本发明公开了一种锰酸镧系负温度系数半导体陶瓷及其制备方法，其组分和含量为 LaMnO3基础上添加10-70mol％TiO2，同时添加0-60mol％的Cu、Ba、Cr、Sr和Y元素之一。制备步骤包括(1)配料，(2)造粒，(3)成型，(4)烧成，(5)电极制备。本发明克服了 NTCR陶瓷材料室温电阻较大的缺点，提供了一种具有良好的导电性能和高温稳定性、实现了室温电阻率为182Ω.cm，而温度系数B值为3268K的锰酸镧为基的钙钛矿型NTCR半导体陶瓷。本发明在温度测量、抑制浪涌电流和温度补偿方面得到广泛应用。 |
发布日期：2007-07-11 09:48:00